1、M0内核和大空间设计
·M0核，主频最高26 MHZ
·512KB Flash/64KB SRAM (V85XXP)
·256KB Flash/32KB SRAM(V85XX)
2、低功耗
·正常模式: 1.6 mA @6.5MHz(V85XX)
·正常模式: 2.1 mA @6.5MHz(V85XXP)
·休眠模式(LCD关闭):2.9uA(V85XX)
·休眠模式(LCD关闭):5.4uA(V85XXP)
·2个UART32K和2个比较器可休眠状态下工作
3、外设丰富
·双帧缓存LCD控制器
·4路DMA控制器
·最多支持8路外部输入ADC
·内置32KHz及6.5MHZRC时钟
·最多6个UART控制器，具有奇偶校验功能
4、安全性强
·内置硬件 AES256/192/128 加密模块
5、迭代升级
·增加2路SP接口
·增加硬件能量桶
·抗EMC性能提升
·增加真随机数模块
·ECC256加密速度提升
6、工作电压和温度
·工作电压:2.2V~5.5V
·工作温度:-40°C~+85°C
智能仪表、通信模组、智能家居、新能源充电桩、白色家电等领域。
